Дома Продукты Ролики Нас

Кремниевый карбид Кристл

(12)
Китай Слиток Кристл JDZJ01-001-002 SiC 4

Слиток Кристл JDZJ01-001-002 SiC 4" ранг d

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Выделять:4” SiC Ingot Crystal, D Grade SiC Ingot Crystal
Слиток кристаллическое 4" SiC ранг p Приборы SiC могут работать на частотах коротковолнового диапазона (RF и микроволна) из-за высокой насыщенной скорости дрейфа электронов SiC. SiC превосходный термальный проводник. Жара пропустит более охотно через SiC чем другие материалы полупроводника. Н... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай JDZJ01-001-004 Кристалл SiC в слитках 6 дюймов, класс P продается

JDZJ01-001-004 Кристалл SiC в слитках 6 дюймов, класс P

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Выделять:P grade SiC Ingot Crystal, 6” SiC Ingot Crystal
Кристалл SiC в слитках 6 дюймов Pgrade   Карбид кремния, чрезвычайно твердый, синтетически полученный кристаллический состав кремния и углерода.Его химическая формула – SiC.С конца 19 века карбид кремния был важным материалом для наждачной бумаги, шлифовальных кругов и режущих инструментов.   Si... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай Семя Кристл s JDZJ01-001-005 SiC ранг 6

Семя Кристл s JDZJ01-001-005 SiC ранг 6" ранг φ153±0.5mm s

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Выделять:S Grade SiC Seed Crystal, φ153±0.5mm SiC Seed Crystal, 6” SiC Seed Crystal
Ранг 6" кристалла семени s SiC ранг φ153±0.5mm s SiC превосходный термальный проводник. Жара пропустит более охотно через SiC чем другие материалы полупроводника. На самом деле, на комнатной температуре, SiC имеет более высокую термальную проводимость чем любой металл. Это свойство позволяет пр... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай Семя Кристл кремниевого карбида JDZJ01-001-007 продается

Семя Кристл кремниевого карбида JDZJ01-001-007

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Выделять:Silicon Carbide Seed Crystal
Семя Кристл кремниевого карбида JDZJ01-001-007 Электронные устройства сформированные в SiC могут работать на весьма высоких температурах без страдания от внутреннеприсущих влияний кондукции потому что широкого bandgap энергии. Также, это свойство позволяет SiC испустить и обнаружить короткий св... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай JDZJ01-001-008 4 и 6-дюймовый затравочный кристалл SiC продается

JDZJ01-001-008 4 и 6-дюймовый затравочный кристалл SiC

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Выделять:6inch SiC Seed Crystal
JDZJ01-001-008 4 и 6-дюймовый затравочный кристалл SiC   Физические и электронные свойства SiC делают его передовым полупроводниковым материалом для коротковолновых оптоэлектронных, высокотемпературных, радиационно-стойких и мощных/высокочастотных электронных устройств.   SiC может выдерживать г... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай 100.0mm Silicon Carbide Crystal 4

100.0mm Silicon Carbide Crystal 4" P Grade Politype 4H

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Выделять:Silicon Carbide Crystal P Grade, single crystal silicon carbide, Silicon Carbide Crystal 4H
100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without undergoing avalanche breakdown. This high breakdown electric field enables the fabricati... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай JDZJ01-001-006 SiC Seed Crystal S Grade 6

JDZJ01-001-006 SiC Seed Crystal S Grade 6" S Grade φ153±0.5mm

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
SiC seed crystal S grade 6" S grade φ153±0.5mm SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without undergoing avalanche breakdown. This high breakdown electric field enables the fabrication of very high-voltage, high-power devices such ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай 4

4" удельное сопротивление 0.015ohm.cm кристалла кремниевого карбида ранга p к 0.028ohm.cm

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Выделять:P Grade Silicon Carbide Crystal, crystalline silicon carbide 0.028ohm.Cm, 4" Silicon Carbide Crystal
4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor materials. In fact, at room temperature, SiC has a higher thermal conductivity than any ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай 4H Politype Single Crystal Silicon Carbide 4

4H Politype Single Crystal Silicon Carbide 4" P Grade Si Face

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Выделять:single crystal silicon carbide 4", N type crystalline silicon carbide, single crystal silicon carbide Si face
JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short wavelength optoelectronic, high temperature, radiation resistant, and high- power/hig... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай 100.0mm Silicon Carbide Crystal 4

100.0mm Silicon Carbide Crystal 4" P Grade 18.0mm

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Выделять:100.0mm Silicon Carbide Crystal, single crystal sic 4", Silicon Carbide Crystal 18.0mm
100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic conduction effects becauseof the wide energy bandgap. Also, this property allows ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай 0.015ohm.cm до 0.028ohm.cm кристалл карбида кремния типа N продается

0.015ohm.cm до 0.028ohm.cm кристалл карбида кремния типа N

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Выделять:0.015ohm.cm Silicon Carbide Crystal, N Type sic crystal, Silicon Carbide Crystal 32.5mm
0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve extremely low levels of impurities. It is used to measure the impurities within SiC C... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай Primary Flat Lengh 32.5mm Silicon Carbide Crystal 4

Primary Flat Lengh 32.5mm Silicon Carbide Crystal 4" P Grade 100.0mm

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Выделять:32.5mm Silicon Carbide Crystal, SiC Seed Crystal 100.0mm, Silicon Carbide Crystal 4"
Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without undergoing avalanche breakdown. This high breakdown electric... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт