Дома Продукты Ролики Нас
Китай система 150mm быстрая термальная обжигая с 3 газами наборов отростчатыми продается

система 150mm быстрая термальная обжигая с 3 газами наборов отростчатыми

Цена: Negotiable
MOQ: 1
Срок поставки: 8-10week days
Бренд: GaNova
Выделять:150mm Rapid Thermal Annealing System, desktop rapid thermal processing equipment, Wafer Rapid Thermal Annealing System
RTP-150RL Rapid Thermal Annealing System with Three Sets Process Gases RTP-150RL: Is in the protection atmosphere of the desktop manual rapid annealing system, with infrared visible light heating single piece Wafer or sample, short process time, high temperature control precision, suitable for 2-6 i... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай Увеличьте производительность с помощью быстрой термической обработки RTP-SA-8 продается

Увеличьте производительность с помощью быстрой термической обработки RTP-SA-8

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3 month
Бренд: Ganova
1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat sources for heating. The internal quartz cavity is insulated and insulated, and the outer shell... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см продается

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates
2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай 625um к 675um вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском продается

625um к 675um вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:625um GaN Epitaxial Wafer, SSP gan on sapphire wafers, 675um GaN Epitaxial Wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitiv... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай Вафля субстрата сапфира C-самолета JDCD08-001-006 6inch продается

Вафля субстрата сапфира C-самолета JDCD08-001-006 6inch

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
JDCD08-001-006 6inch C-Plane Sapphire Substrate Wafer Sapphires are Second Only to Diamonds in Durability Diamond is the most durable naturally occurring element on earth and ranks as a 10 out of 10 on Mohs Scale of Mineral Hardness. Sapphires are also very durable and rank as a 9 out of 10 on Mohs ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай 2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке для устройства питания продается

2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке для устройства питания

Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай толщина 325ум 375ум вафли ГаН стороны 5 кс 10 мм2 м эпитаксиальная продается

толщина 325ум 375ум вафли ГаН стороны 5 кс 10 мм2 м эпитаксиальная

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:5 X 10.5 mm2 GaN Epitaxial Wafer, 325um gan gallium nitride wafer, GaN Epitaxial Wafer 375um
5 X 10 mm2 M Face Free-Standing GaN Substrates Thickness 350 ±25 µm 5*10mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview These GaN wafers realize unprecedented ultra-bright laser diodes and high-efficiency power device... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай 4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN продается

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
4 inch N-type UID-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity＞0.5 Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitivity to ionizing radiation is low (like other gr... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай 4-дюймовый голубой светодиод GaN, эпитаксиальная пластина C, плоский сапфир продается

4-дюймовый голубой светодиод GaN, эпитаксиальная пластина C, плоский сапфир

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:Blue LED GaN Epitaxial Wafer, 4 Inch led wafer, GaN Epitaxial Wafer C Plane
4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP C Plane (0001) Off Angle Toward M-Axis 0.2 ± 0.1° 4 inch Blue LED GaN epitaxial wafer on sapphire SSP Using blue radiation in LED technology offers two specific advantages – one, it consumes lesser power, two, it is more efficient in terms of light... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN продается

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:375um GaN Epitaxial Wafer, gallium nitride wafer UKAS, GaN Epitaxial Wafer 50.8mm
350 ± 25 μm (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview The standard in semiconductor material industry specifies the method for testing the sur... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай 4-дюймовый допированный Fe свободностоящий GaN субстрат Нитрид галлия субстрат продается

4-дюймовый допированный Fe свободностоящий GaN субстрат Нитрид галлия субстрат

Цена: Negotiable
MOQ: 1
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Introduction to 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate is a single crystal substrate made of gallium nitride (GaN) material, which improves its electrical properties by doping iron elements. Gallium nitride (GaN) ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай 4 дюйма Fe-допированный свободностоящий GaN субстрат галлиевый нитрид продается

4 дюйма Fe-допированный свободностоящий GaN субстрат галлиевый нитрид

Цена: Negotiable
MOQ: 1
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Introduction to 4-inch iron doped gallium nitride (GaN) single crystal substrate 4-inch iron doped gallium nitride (GaN) single crystal substrate is a single crystal substrate made of gallium nitride (GaN) material, which improves its electrical properties by doping iron elements. Gallium nitride (G... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай 2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке для устройства питания продается

2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке для устройства питания

Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай 2-дюймовый недопинговый свободностоящий субстрат GaN продается

2-дюймовый недопинговый свободностоящий субстрат GaN

Цена: Negotiable
MOQ: 1
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
1, Overview of Gallium Nitride Single Crystal Substrate(GaN substrate) Gallium nitride single crystal substrate (GaN substrate)is an important component required in the preparation process of gallium nitride (GaN) crystals, and it is the substrate on which gallium nitride crystals are grown. Gallium... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай Легирование Sn вафли Ga2O3 монокристаллической подложки 10x10 мм2 продается

Легирование Sn вафли Ga2O3 монокристаллической подложки 10x10 мм2

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:Sn Doping Ga2O3 Wafer, 0.8mm Gallium Oxide wafer, Ga2O3 Wafer 10x10mm2
10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filters Among these different phases of Ga2O3, the orthorhombic β-gallia stru... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай Одиночный бортовой отполированный субстрат одиночного Кристл вафли Ga2O3 продается

Одиночный бортовой отполированный субстрат одиночного Кристл вафли Ga2O3

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:Side Polished Ga2O3 Wafer, 0.6mm gallium nitride substrate, Ga2O3 Wafer UKAS
10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filters Gallium Oxide (Ga2O3) is emerging as a viable candidate for certain c... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный продается

полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:Ga2O3 Single Crystal Substrate, Gallium Oxide wafer 0.6mm, 0.8mm Single Crystal Substrate
10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filters Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal subs... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка продается

JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
10x10mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 1.53E+18Ω/cm-3 Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filters While silicon-based devices have been able to p... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай вафля 150.0mm +0mm/-0.2mm SiC эпитаксиальная отсутствие вторичной квартиры 3mm продается

вафля 150.0mm +0mm/-0.2mm SiC эпитаксиальная отсутствие вторичной квартиры 3mm

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:150.0 mm SiC Epitaxial Wafer, silicon carbide wafer 3mm, SiC Epitaxial Wafer No Secondary Flat
JDCD03-001-003 Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced into substrates, which are subsequently polished. A thin SiC epitaxial layer is then grown on top of this substrate to create an epi-wafer. Today, the semiconductor industry is expanding at a rapid rate, w... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Китай вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная продается

вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:446mm SiC Epitaxial Wafer, 4 H epitaxial silicon wafer, UKAS SiC Epitaxial Wafer
47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single silicon carbide disc. It is made of high-purity SiC crystals, and can be 100mm or 150mm in diame... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт