Ускоренная термическая обработка RTP-SA-8 система отжига
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3 month
Бренд: Ganova
Выделять:Boost Production Rapid Thermal Processing, Rapid Thermal Processing Annealing System
1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat sources for heating. The internal quartz cavity is insulated and insulated, and the outer shell... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
система 150mm быстрая термальная обжигая с 3 газами наборов отростчатыми
Цена: Negotiable
MOQ: 1
Срок поставки: 8-10week days
Бренд: GaNova
Выделять:150mm Rapid Thermal Annealing System, desktop rapid thermal processing equipment, Wafer Rapid Thermal Annealing System
RTP-150RL Rapid Thermal Annealing System with Three Sets Process Gases RTP-150RL: Is in the protection atmosphere of the desktop manual rapid annealing system, with infrared visible light heating single piece Wafer or sample, short process time, high temperature control precision, suitable for 2-6 i... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates
2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
625um к 675um вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:625um GaN Epitaxial Wafer, SSP gan on sapphire wafers, 675um GaN Epitaxial Wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitiv... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Вафля субстрата сапфира C-самолета JDCD08-001-006 6inch
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
JDCD08-001-006 6inch C-Plane Sapphire Substrate Wafer Sapphires are Second Only to Diamonds in Durability Diamond is the most durable naturally occurring element on earth and ranks as a 10 out of 10 on Mohs Scale of Mineral Hardness. Sapphires are also very durable and rank as a 9 out of 10 on Mohs ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат
Цена: Negotiable
MOQ: 1
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:GaN Gallium Nitride Single Crystal Substrate, 2inch Gallium Nitride Single Crystal Substrate
Un-Doped Freestanding GaN Substrate 1, Overview of Gallium Nitride Single Crystal Substrate(GaN substrate) Gallium nitride single crystal substrate (GaN substrate)is an important component required in the preparation process of gallium nitride (GaN) crystals, and it is the substrate on which gallium... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Однокристаллическая вафель с галлиевым нитридом 4 дюйма
Цена: Negotiable
MOQ: 1
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:single crystal gan epi wafer, 4 Inch gan epi wafer, single crystal gan substrate
Introduction to 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate is a single crystal substrate made of gallium nitride (GaN) material, which improves its electrical properties by doping iron elements. Gallium nitride (GaN) ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
4-дюймовый допированный свободностоящий субстрат галлиевого нитрида
Цена: Negotiable
MOQ: 1
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:4 Inch gan substrate, Fe Doped gan substrate, Freestanding gan substrate
Introduction to 4-inch iron doped gallium nitride (GaN) single crystal substrate 4-inch iron doped gallium nitride (GaN) single crystal substrate is a single crystal substrate made of gallium nitride (GaN) material, which improves its electrical properties by doping iron elements. Gallium nitride (G... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
2 дюймовое устройство высокой электронной мобильности транзистор эпитаксиальная пластина
Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:sic epitaxial wafer 2 Inch, Power Device sic epitaxial wafer, High Electron Mobility Transistor Epitaxial Wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
625um до 675um 4 дюйма Синий светодиод галлиевого нитрида GaN Эпитаксиальная пластина на сапфире SSP Плоский сапфир
Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:625um gan epi wafer, 675um gan epi wafer, 4 inch gan epitaxial wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED gallium nitride GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, gallium nitride (GaN) is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optica... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
ALN 10*10mm2 AlN однокристаллический 400±50μM С/П/Р класс
Цена: Negotiable
MOQ: 1
Срок поставки: Negotiable
Бренд: GaNova
Выделять:ALN aluminum nitride wafer, 2H aluminum nitride wafer, 10*10mm2 aln wafer
AlN substrate is one of the most popular ceramic substrate which has excellent heat resistance, high mechnical strength , abrasion resistance and small dielectric loss . The surface of AlN substrate is quite smooth and low porosity . Aluminium Nitride has higher thermal conductivity , compared to al... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке для устройства питания
Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:GaN On Silicon HEMT Epi Wafer, 2 Inch Epi Wafer, Power Device Epi Wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода
Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: 3-4 weeks
Выделять:2inch gan epi wafer, 6inch gan epi wafer, N Type gan epi wafer
Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw materials for semiconductor chips. Epiaxial wafer manufacturers use CVD (Chemical Vapor D... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
1 дюймовая однокристаллическая пластина AlN 400±50μM S/P/R класс
Цена: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
Бренд: GaNova
Выделять:1 Inch aln wafer, aln wafer 1 Inch, aluminum nitride wafer aln
AlN substrate is one of the most popular ceramic substrate which has excellent heat resistance, high mechnical strength , abrasion resistance and small dielectric loss . The surface of AlN substrate is quite smooth and low porosity . Aluminium Nitride has higher thermal conductivity , compared to al... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокочастотных чипов
Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: 3-4 weeks
Бренд: Ganova
Выделять:Chip Production gan epi wafer, Chip Production GaN Epitaxial Wafers, Chip Production GaN epi-wafers
Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw materials for semiconductor chips. Epiaxial wafer manufacturers use CVD (Chemical Vapor D... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Барьер AlGaN 4 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi вафеле галлиевого нитрида GaN-on-Si
Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:4 inch sic epitaxial wafer, 4 inch sic epi wafer, 4 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
6 дюймов GaN на кремниевом HEMT Epi Wafer Power Device Галлиевый нитрид GaN на Си
Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:6 Inch sic epitaxial wafer, 6 Inch sic epi wafer, 6 Inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
GaN фиолетовый лазер на кремниевом 2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке UV LD Epi пластинке
Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:2 inch sic epitaxial wafer, 2 inch sic epi wafer, 2 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
2 дюйма GaN на кремниевом Синий LD эпи вафли GaN синий лазер на кремниевом
Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:2 inch sic epitaxial wafer, 2 inch sic epi wafer, 2 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Синий светодиод GaN на кремниевой пластине Синий лазер GaN эпитаксиальная пластина
Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:Silicon Based Gallium Nitride Epitaxial Wafer, HEMT epitaxial wafer, 4 inch sic epitaxial wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт