Вафля GaN эпитаксиальная
(69)
Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates
2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
625um к 675um вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:625um GaN Epitaxial Wafer, SSP gan on sapphire wafers, 675um GaN Epitaxial Wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitiv... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат
Цена: Negotiable
MOQ: 1
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:GaN Gallium Nitride Single Crystal Substrate, 2inch Gallium Nitride Single Crystal Substrate
Un-Doped Freestanding GaN Substrate 1, Overview of Gallium Nitride Single Crystal Substrate(GaN substrate) Gallium nitride single crystal substrate (GaN substrate)is an important component required in the preparation process of gallium nitride (GaN) crystals, and it is the substrate on which gallium... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Однокристаллическая вафель с галлиевым нитридом 4 дюйма
Цена: Negotiable
MOQ: 1
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:single crystal gan epi wafer, 4 Inch gan epi wafer, single crystal gan substrate
Introduction to 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate is a single crystal substrate made of gallium nitride (GaN) material, which improves its electrical properties by doping iron elements. Gallium nitride (GaN) ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
4-дюймовый допированный свободностоящий субстрат галлиевого нитрида
Цена: Negotiable
MOQ: 1
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:4 Inch gan substrate, Fe Doped gan substrate, Freestanding gan substrate
Introduction to 4-inch iron doped gallium nitride (GaN) single crystal substrate 4-inch iron doped gallium nitride (GaN) single crystal substrate is a single crystal substrate made of gallium nitride (GaN) material, which improves its electrical properties by doping iron elements. Gallium nitride (G... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
625um до 675um 4 дюйма Синий светодиод галлиевого нитрида GaN Эпитаксиальная пластина на сапфире SSP Плоский сапфир
Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:625um gan epi wafer, 675um gan epi wafer, 4 inch gan epitaxial wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED gallium nitride GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, gallium nitride (GaN) is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optica... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода
Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: 3-4 weeks
Выделять:2inch gan epi wafer, 6inch gan epi wafer, N Type gan epi wafer
Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw materials for semiconductor chips. Epiaxial wafer manufacturers use CVD (Chemical Vapor D... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокочастотных чипов
Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: 3-4 weeks
Бренд: Ganova
Выделять:Chip Production gan epi wafer, Chip Production GaN Epitaxial Wafers, Chip Production GaN epi-wafers
Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw materials for semiconductor chips. Epiaxial wafer manufacturers use CVD (Chemical Vapor D... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
толщина 325ум 375ум вафли ГаН стороны 5 кс 10 мм2 м эпитаксиальная
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:5 X 10.5 mm2 GaN Epitaxial Wafer, 325um gan gallium nitride wafer, GaN Epitaxial Wafer 375um
5 X 10 mm2 M Face Free-Standing GaN Substrates Thickness 350 ±25 µm 5*10mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview These GaN wafers realize unprecedented ultra-bright laser diodes and high-efficiency power device... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
4 inch N-type UID-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity＞0.5 Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitivity to ionizing radiation is low (like other gr... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
4-дюймовый голубой светодиод GaN, эпитаксиальная пластина C, плоский сапфир
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:Blue LED GaN Epitaxial Wafer, 4 Inch led wafer, GaN Epitaxial Wafer C Plane
4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP C Plane (0001) Off Angle Toward M-Axis 0.2 ± 0.1° 4 inch Blue LED GaN epitaxial wafer on sapphire SSP Using blue radiation in LED technology offers two specific advantages – one, it consumes lesser power, two, it is more efficient in terms of light... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:375um GaN Epitaxial Wafer, gallium nitride wafer UKAS, GaN Epitaxial Wafer 50.8mm
350 ± 25 μm (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview The standard in semiconductor material industry specifies the method for testing the sur... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:12.5mm gan epi wafer, 2inch gallium nitride wafer, 2Inch gan epi wafer
(1- 100) ±0.1o, 12.5 ± 1 mm 2-Inch Free-Standing N-GaN Substrates GaN-FS-C-N-C50-SSP 2inch C-face Si-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Growth of 1-μm-thick Si-doped GaN films was performed by PSD with pulsed magnetron sputteri... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Вафля GaN Epi 2 дюймов толщины 370um 430um проставляет размеры 50mm
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:2 Inch GaN Epi Wafer, 370um single crystal wafer, 430um GaN Epi Wafer
Thickness 400 ± 30 μm 2-Inch Free-Standing N-GaN Substrates Dimensions 50.0 ±0.3 mm 2inch C-face Si-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview The most common method, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), inherently... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
эпитаксиальная пластина GaN 5x10 мм2, нелегированная, тип SI
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:GaN Epitaxial Wafer SI Type, 5x10.5mm2 gan epi wafer, 5x10.5mm2 GaN Epitaxial Wafer
5*10mm2 Free-Standing GaN Single Crystal Substrate (20-21)/(20-2-1) Un-Doped SI-Type 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride is a semiconductor technology used for high power, hig... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Монокристаллическая полупроводниковая пластина нитрида галлия TTV 10um
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:Single Crystal Semiconductor Wafer, TTV 10um epi wafer, Gallium Nitride Semiconductor Wafer
5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN substrate has a damage-free, very flat (Rms < 0.2 nm), controlled surface orientation, and controlled atomic steps surfaces. Surface quality suitable for epi... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Самолет вафли полупроводника 325um нитрида галлия 375um c
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:Gallium Nitride Semiconductor Wafer, C Plane gan epi wafer, Semiconductor Wafer 325um
2-inch Free-standing SI-GaN Substrates An epitaxial wafer (also called epi wafer, epi-wafer, or epiwafer) is a wafer of semiconducting material made by epitaxial growth (epitaxy) for use in photonics, microelectronics, spintronics, or photovoltaics. Thin Epi wafers are commonly used for leading edge... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
вафля Ун эпитаксиальной вафли стороны Сп 5кс10мм2 легированная Си тип субстрат Ган одиночный кристаллический
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:5x10.5mm2 GaN Epitaxial Wafer, Un Doped Epitaxial Wafer ISO, SP Face GaN Epitaxial Wafer
5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type Free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Different Types of Generative Adversarial Networks (GANs) DC GAN – It is a Deep convolutional GAN. ... Conditional GAN and Unconditional GAN (CGAN) – Condi... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
ООН дала допинг типу стороне n субстрата 5x10mm2 m GaN одиночного Кристл
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:GaN Single Crystal Substrate, Gallium Nitride N Type Wafer, Single Crystal Substrate 5x10.5mm2
5*10mm2 M-face Un-doped n-type Free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Various physical aspects and potential applications of the laser-induced separation of GaN epilayers from their sapphire substrate are reviewed. The effect of short l... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
4-Inch Mg-Doped GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer Why Use GaN Wafers? Gallium Nitride on sapphire is the ideal material for radio energy amplification. It offers a number of benefits over silicon, including a higher breakdown voltage and better perfo... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт