Дискретные продукты полупроводника
(15153)
NXP USA Inc. LDMOS 1.93GHz - 1.99GHz Транзисторы на шасси с увеличением 13dB
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
RF Mosfet 26 V 850 mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 13dB 18W NI-780H-2L Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Частота 150 МГц NPN Биполярный транзистор 80 мА Максимальный ток 50 В Коллекторная разрядка 100 мВт Panasonic SSSMini3-F1
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 150 MHz 100 mW Surface Mount SSSMini3-F1 Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Дискретное NPN предварительно предвзятый транзистор 100mA 50V поверхностная установка 200mW мощность Panasonic MINI3-G3-B - прекращено производство
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount MINI3-G3-B Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
1000 Вт LDMOS мощность RF FET для шасси монтажа 110В 1,03 ГГц двойных транзисторов NXP USA Inc.
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
RF Mosfet 50 V 150 mA 1.03GHz 20dB 1000W NI-1230 Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Поверхностный монтаж JFET полупроводник 25V 15mA N Channel Discrete Components от NXP USA Inc.
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
RF Mosfet SOT-23 (TO-236AB) Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
NXP USA Inc. Активный оптовый транзистор PDTA144VM для напряжения
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
150 МГц NPN предварительный транзистор 50В поверхность подъема Panasonic SMini3-F2 150 мВт мощность
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-F2 Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Старые LDMOS RF FET 65V 23W 2.16-2.17GHz 13.5 дБ прибавка - NXP USA Inc.
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
RF Mosfet 28 V 1.05 A 2.16GHz ~ 2.17GHz 13.5dB 23W NI-780H-2L Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Активный оптовый NXP USA Inc. PDTA14 Дискретный биполярный транзистор
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Осуществленный NXP USA Inc. 120V Dual LDMOS RF FETs 225MHz 125W 25dB Gain Chassis Mount Транзистор
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
RF Mosfet 50 V 2.6 A 225MHz 25dB 125W NI-1230-4H Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Устаревший NXP USA Inc. LDMOS транзисторы 2.69GHz 15.6dB Gain 28W Выходное шасси
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
RF Mosfet 28 V 900 mA 2.69GHz 15.6dB 28W NI-780H-2L Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Устаревшие электронные компоненты Panasonic UNR511 PNP Пре-предвзятый транзистор для переходной частоты 80 МГц
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 80 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-F2 Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Устаревшие транзисторы NXP USA Inc. BF245 JFET 30V N Channel TO-92-3 для радиочастотных приложений на частоте 100 MHz
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
RF Mosfet 15 V 100MHz TO-92-3 Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Старый NXP USA Inc. PNP Bipolar Transistor 50V Напряжение 250mW Мощность SMT3
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount SMT3; MPAK Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Осуществленный NXP USA Inc. PNP Пре-предвзятый транзистор SC-75 150mV 500μA 10mA 50V 150mW Дискретное установка поверхности
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount SC-75 Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Поверхностный монтаж LDMOS RF FETs 65V 24W Выход мощности 1.88GHz Частота двойной конфигурации NXP NI-780S-4L
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
RF Mosfet 28 V 500 mA 1.88GHz ~ 1.91GHz 16dB 24W NI-780S-4L Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
22 Вт LDMOS RF FETs 1.99 ГГц Транзисторы для монтажа шасси - NXP USA Inc.
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
RF Mosfet 28 V 900 mA 1.99GHz 16.1dB 22W NI-780H-2L Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
NXP USA Inc. 1,99 ГГц 65 Вт LDMOS шасси монтаж RF FETs 24 Вт транзистор
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
RF Mosfet 28 V 750 mA 1.99GHz 18dB 24W NI-780S Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Старые 70В LDMOS RF FETs 960MHz 65W 19.4dB Транзисторы полупроводниковые NXP USA Inc.
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
RF Mosfet 28 V 1.6 A 960MHz 19.4dB 65W NI-780H-2L Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Прекращенный транзистор Panasonic PNP с предварительным пристрастием 150 мВт мощность 50 В напряжение отключения
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount SMini3-F2-B Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт