Транзистор влияния поля Mos
(1)
Высокочастотное применение предохранения от полярности транзистора влияния поля 20A Mos 200V
Цена: Negotiable
MOQ: 1500
Срок поставки: 5-15days
Бренд: OTOMO
Выделять:High Frequency Mos Field Effect Transistor, Mos Field Effect Transistor 20A, 200V Mos Field Effect Transistor
Suitable for high frequency switching power supply 20A 200V Schottky Barrier Diode HBR20200 TO-220C TO-220HF TO-263 APPLICATIONS High frequency switch power supply Free wheeling diodes, polarity protection applications FEATURES Common cathode structure Low power loss, high efficiency High Ope... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт