Транзистор влияния поля
(31)
транзистор канала 60В ТО-263 н, ТО-220 выдвинул транзистор влияния поля силы
Цена: Negotiated
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-5 days
Бренд: CANYI
Выделять:mosfet power transistor, high power transistor
60V TO-263 n channel transistor TO-220 advanced power field effect transistor Mosfet n channel features: FET Type:N-Channel Enhancement mode Very low on-resistance Flexible and very practical High switching capability 100% Avalanche Tested before sending to customers Pb-free lead plating; RoHS compl... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Утверждение транзистора наивысшей мощности СОТ323 выхода Мосфет п горизонтальное 3Д 3Х 3М РоХС
Цена: Negotiated
MOQ: 1000PCS
Срок поставки: 3-5 days
Бренд: CANYI
Выделять:mosfet power transistor, high power transistor
p mosfet horizontal output transistor SOT323 3D 3H 3M field effect transistor TYPE NUMBERMARKING CODE: BC856W: 3D* BC856AW: 3A* BC856BW: 3B* BC857W: 3H* BC857AW: 3E* BC857BW: 3F* BC857CW: 3G* BC858W: 3M* Field effect transistor features: Low current(max.100mA) Low voltage(max.65V) base-emitter volta... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
1MHz SOP8 LM358 LM358DR SMD повсеместно в усилитель отверстия
Цена: Negotiated
MOQ: 3000pcs
Срок поставки: 10-15 days
Бренд: CANYI
Выделять:LM358DR SMD Throught Hole Amplifier, SOP8 SMD Throught Hole Amplifier, 1MHz Power Field Effect Transistor
LM358DR SMD Amplifier dual operational amplifiers SOP8 LM358 LM358DR SMD Amplifier dual operational amplifiers SOP8 LM358 Features Available in 8-Bump micro SMD chip sized package,(See AN-1112) Internally frequency compensated for unity gain Large dc voltage gain: 100 dB Wide bandwidth (unity gain):... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Транзистор силы MPS2222A Mosfet TO-92 600mA 625mW NPN MPS2222 2222A
Цена: Negotiated
MOQ: 3000pcs
Срок поставки: 10-15 days
Бренд: CANYI
Выделять:625mW NPN Mosfet Power Transistor, 600mA NPN Mosfet Power Transistor, MPS2222A Transistor
MPS2222A MPS2222 2222A TO-92 NPN mosfet power transistor Choose Canyi to get more benefit: Supplying to Changdian, Xinghai, Tuofeng, Leshan, Roma and Anshi Competitive price and save your time Over 10 years work experience technical service team Mix order accepted and free sample Our fast delivery t... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Регуляторы напряжения тока L7805CV TO-220 L7805 7805 1.5A 5V положительные
Цена: Negotiated
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 10-15 days
Бренд: CANYI
Выделять:L7805CV Positive Voltage Regulators, 1.5A 5V Positive Voltage Regulators, TO-220 Through Hole Voltage Regulator
L7805CV voltage regulator TO-220 L7805 7805 5V POSITIVE VOLTAGE REGULATORS Features Output current to 1.5 A Output voltage of 5V Thermal overload protection Short circuit protection Output transition SOA protection Description The L7805CV of three-terminal positive regulators is available in TO-220 ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Регулятор напряжения тока 12V L7812CV L7812 KA7812 MC7812 положительный 1A/1.5A
Цена: Negotiated
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 10-15 days
Бренд: CANYI
Выделять:MC7812 Positive Voltage Regulator, KA7812 Positive Voltage Regulator, L7812CV Through Hole Voltage Regulator
L7812CV L7812 KA7812 MC7812 Voltage Regulator 12V 1A/1.5A TO-220 Feature summary Output current to 1.5A Output voltages of 5; 5.2; 6; 8; 8.5; 9; 10; 12; 15; 18; 24V Thermal overload protection Short circuit protection Output transition SOA protection Description The L7800 series of three-terminal po... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Конвертеры DC AC VIPER22A VIPER22 AP8022 DIP-8 60KHZ
Цена: Negotiated
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 10-15 days
Бренд: CANYI
Выделять:60KHZ AC DC Converters, VIPER22A AC DC Converters, VIPER22 Through Hole Transistor
VIPER22A VIPER22 AP8022 DIP-8 In Stock FEATURE Fixed 60KHZ switching frequency 9V to 38V wide range VDD voltage current mode control auxilary undervoltage lockout with hysteresis high voltage start up current source overtemperature, overcurrent and overvoltage protection with aytorestart. DESCRIPTIO... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Пакет MOSFET NCE30H10K TO-252 силы режима повышения канала NCE n
Цена: usd 0.2/pcs
MOQ: 2500PCS
Срок поставки: 3-5 days
Бренд: NCE
Выделять:NCE N Channel MOSFET, NCE30H10K Surface Mount MOSFET, TO-252 Surface Mount MOSFET
AO3400 SOT-23 mosfet power transistor NPN MOSFET A09T n channel transistor N channel transistor featuresVDS =30V,ID =100ARDS(ON) Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Мосфет ИТО220 транзистора 3Н80 канала транзистора влияния поля 800В/н
Цена: Negotiated
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-5 days
Бренд: CANYI
Выделять:mosfet power transistor, high power transistor
800V n channel transistor 3N80 mosfet ITO220 field effect transistor 20~40V 40V 55-60V 65-95V 100-150V 200-500V 600V 650V 700-900V MOSFET High power transistor features: Excellent package for good heat dissipation Ultra low gate charge Low reverse transfer capacitance Fast switching capability Avala... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Транзистор влияния поля высокой точности 3Н80 3А 800В/Мосфет н силы - направьте ТО-220
Цена: Negotiated
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-5 days
Бренд: CANYI
Выделять:high power transistor, p channel transistor
High precision 3N80 3A 800V Field Effect Transistor/ Power Mosfet N-Channel TO-220 20~40V 40V 55-60V 65-95V 100-150V 200-500V 600V 650V 700-900V MOSFET High power transistor features: Excellent package for good heat dissipation Ultra low gate charge Low reverse transfer capacitance Fast switching ca... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
МОСФЭТ силы режима повышения триода канала п транзистора влияния поля МС2301
Цена: Negotiated
MOQ: 1000PCS
Срок поставки: 1 - 2 Weeks
Бренд: DEC
Выделять:mosfet power transistor, high power transistor
Electronic Components A1SHB Transistor 2301 -20V -2.8A SOT-23 P-Channel Product Description The MX2301A uses advanced trench technology to provide excellent RDS, low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Держатель поверхности трубки МОС транзистора влияния поля МС3401 электронных блоков -30В ВДС
Цена: Negotiated
MOQ: 1000PCS
Срок поставки: 1 - 2 Weeks
Бренд: DEC
Выделять:high power transistor, p channel transistor
electronic components MX3401 transistor -30V -4.2A SOT-23-3L P-channel Description The MX3401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Shenzh... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Двойной н - дизайн клетки транзистора влияния поля МСН3312 канала хигх-денситы для переключения силы
Цена: Negotiated
MOQ: 1000PCS
Срок поставки: 1 - 2 Weeks
Бренд: DEC
Выделять:mosfet power transistor, p channel transistor
MXN3312 Field Effect Transistor Dual N - Channel Enhancement Mode Power Mosfet Product Description The MXN3312 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. High density cell design fo ultra low Rdson F... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Поверхностный транзистор наивысшей мощности п держателя МС3407 - тип канала РоХС аттестовал
Цена: Negotiated
MOQ: 1000PCS
Срок поставки: 1 - 2 Weeks
Бренд: DEC
Выделять:mosfet power transistor, high power transistor
Electronic Components MX3407 Field Effect Transistor P Channel In Stock Product Description High power and current handing capability Lead free product is acquired Surface mount package Our Advantage: 1. Electronic component specialist and professional. 2. Strong R & D team, experienced research... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Пакет оригинала МОСФЭТ 2А 600В ТО-220Ф транзистора канала ФКПФ2Н60К ФКПФ2Н60 2Н60 н
Цена: US$ 0.1-0.19 per unit (Pieces)
MOQ: 1000PCS
Срок поставки: 3-5 days
Бренд: Canyi
Выделять:mosfet power transistor, high power transistor
FQPF2N60C FQPF2N60 2N60 MOSFET 2A 600V field effect transistor TO-220F MOS FET N-Channel transistor Original Package Features:1.6A, 600V, RDS(on) = 4.7Ω @VGS = 10 VLow gate charge ( typical 9.0 nC)Low Crss ( typical 5.0 pF)Fast switching100% avalanche testedImproved dv/dt capabilitGeneral Descriptio... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Режим повышения канала транзистора наивысшей мощности 2.5А МОС ФЭЦ СОТ-23 МОСФЭЦ СИ2301 20В А1СХБ п
Цена: Negotiated
MOQ: 1000PCS
Срок поставки: 3-5 days
Бренд: CANYI
Выделять:mosfet power transistor, high power transistor
SI2301 MOSFETs FETs SOT-23 MOS power field effect transistor 2.5A 20V A1SHB P-channel Enhancement Mode Features:Advanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceMaximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25℃unless otherwise noted)ParameterSymbolLimitUnitDr... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Транзистор канала МОСФЭТ А09Т н транзистора силы НПН мосфет АО3400 СОТ-23
Цена: Negotiated
MOQ: 1000PCS
Срок поставки: 3-5 days
Бренд: CANYI
Выделять:mosfet power transistor, high power transistor
AO3400 SOT-23 mosfet power transistor NPN MOSFET A09T n channel transistor Features: Model Number:AO3400 Type:MOSFET Package Type:Surface Mount Product Name:AO3400 Other name:AO3400A Marking:A09T FET Type:N-Channel Drain to Source Voltage (Vdss):30V Current - Continuous Drain (Id) 25°C5.8A (Ta) Driv... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Н направляет транзисторы влияния поля 10Н60 Мосфет 600В для переключенных электропитаний режима
Цена: US$ 0.1-0.19 per unit (Pieces)
MOQ: 1000PCS
Срок поставки: 3-5 days
Бренд: Canyi
Выделять:mosfet power transistor, high power transistor
10N60 600V n channel mosfet field effect transistors for switched mode power supplies Datasheet:CY-10N60F.pdf Field effect transistor features: Drain Current is 9.5A, 600V, RDS(on) =0.73Ω @VGS =10 V Low gate charge MOSFET simplifies gate drive design( typical 9.0 nC) Fast switching 100% avalanche te... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Электронный блок АП70Н03НФ Мосфет СМД транзистора канала н интегральной схемаы
Цена: Negotiated
MOQ: 1000PCS
Срок поставки: 3-5 days
Бренд: CANYI
Выделять:mosfet power transistor, high power transistor
AP70N03NF.pdfAP70N03NF Transistor MOSFET SMD N-Channel Electronic Component for Integrated Circuit Description The AP70N03NF uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate 6][charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт
Канал МОСФЭТ СМД н транзистора влияния поля силы АП85Н03НФ с переключателем нагрузки
Цена: Negotiated
MOQ: 1000PCS
Срок поставки: 3-5 days
Бренд: CANYI
Выделять:mosfet power transistor, high power transistor
AP85N03NF Power field effect Transistor MOSFET SMD N-Channel with Load switch Description The AP85N03NF uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other S... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт