Вафля GaAs
(25)
N - Напечатайте вафле ГаАс арсенида галлия субстраты одиночного Кристл 2 до 6 дюйма
Цена: by case
MOQ: 5pcs
Срок поставки: 1-4weeks
Бренд: zmsh
Выделять:вафля арсенида индия, субстрат лаало3
субстраты 3инч ГаАс, вафля ГаАс для приведенный, вафли арсенида галлия кристаллические, вафля ГаАс Допант Си/Зн
(Смесь а элементов галлия и мышьяка. Это полупроводник бандгап ИИИ-В сразу с кристаллической структурой сфалерита цинка)
-----------------------------------------------------------... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт

тип субстраты n метода 6inch VGF GaAs 2 градуса с вафель 675um SSP
Цена: by case
MOQ: 10pcs
Срок поставки: 1-4weeks
Бренд: zmsh
Выделять:Субстрат арсенида галлия метода VGF, Тип субстраты n GaAs, Вафля GaAs Epi 2 градусов
субстраты 2degree GaAs метода 2inch 3inch 4inch 6inch VGF N типа ООН-данные допинг с вафель 675um SSP DSP GaAs------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Вафля GaAs (арсенид галлия) выгодная альтернатива к кремнию ко... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт

Вафля арсенида галлия 4 дюймов, субстрат Гаас для сплавов низкой температуры
Цена: by case
MOQ: 5pcs
Срок поставки: 1-4weeks
Бренд: zmsh
Выделять:вафля арсенида индия, субстрат лаало3
субстраты 4инч ГаАс, вафля ГаАс для приведенный, вафли арсенида галлия кристаллические, вафля ГаАс Допант Си/Зн
(Смесь а элементов галлия и мышьяка. Это полупроводник бандгап ИИИ-В сразу с кристаллической структурой сфалерита цинка)
---------------------------------------------------------------... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт

3inch 76.2mm N типа s дало допинг вафле арсенида галлия для микроэлектроники
Цена: by case
MOQ: 5pcs
Срок поставки: 1-4weeks
Бренд: zmsh
Выделять:вафля арсенида галлия микроэлектроники, вафля арсенида 76.2mmgallium, вафля gaas микроэлектроники
Metod N типа 3inch VFG, 4inch, вафли арсенида галлия 6inch dia150mm GaAs Полу-изолируя тип для микроэлектроники,
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Вафли арсенида галлия GaAs)
Арсенид галлия (GaAs) смесь элементов ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт

тип субстраты n ранга теста исследования вафель 3inch VGF GaAs GaAs
Цена: by case
MOQ: 10pcs
Срок поставки: 1-4weeks
Бренд: zmsh
Выделять:Вафля арсенида галлия ранга теста исследования, Тип субстрат n арсенида галлия, Вафля GaAs Epi 3 дюймов
вафли 3inch VGF GaAs исследуют субстраты 425um GaAs ранга теста N типа
субстраты 2degree GaAs метода 2inch 3inch 4inch 6inch VGF N типа ООН-данные допинг с вафель 675um SSP DSP GaAs
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт

Двойная сторона отполировала обломоки субстрата вафли 1сп 2сп 10С10мм ГГГ Семикондутор кристаллические
Цена: by case
MOQ: 10pcs
Срок поставки: 1-4weeks
Бренд: zmsh
Выделять:вафля гаас, вафля арсенида индия
Субстраты ГГГ, вафля окиси цинка 10С10мм небольшая квадратная, субстраты в различных ориентациях, субстрат 5кс5мм ГГГ кристалла венисы ГГГ Гд3Га5012 галлия гадолиния
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Вениса галлия гадол... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт

титанат стронция субстрата Сртио3 10С10мм небольшой квадратный для оптически стеклянного окна
Цена: by case
MOQ: 10pcs
Срок поставки: 1-4weeks
Бренд: zmsh
Выделять:вафля гаас, вафля арсенида индия
СрТиО3 субстраты, титанат стронция 10С10мм небольшой квадратныйСрТиО3 субстрат, вафля 10кс10 СрТиО3-------------------------------------------------------------------------------------------------------------- Общие свойства Титанат (SrTiO3) стронция одна из наиболее широко используемой высокой т... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт

Тип Дя 150мм вафли Гаас метода ВГФ полу- изолируя для микроэлектроники
Цена: by case
MOQ: 10pcs
Срок поставки: 1-4weeks
Бренд: zmsh
Выделять:вафля арсенида индия, субстрат лаало3
Метод Н типа 3инч ВФГ, 4инч, вафли арсенида галлия 6инч дя150мм ГаАс Полу-изолируя тип для микроэлектроники,
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Вафли арсенида галлия ГаАс)
Арсенид галлия (GaAs) смесь элементов ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт

Субстрат Зно, субстрат Кристл окиси цинка вафли арсенида галлия
Цена: by case
MOQ: 10pcs
Срок поставки: 1-4weeks
Бренд: zmsh
Выделять:вафля гаас, субстрат лаало3
Субстраты ЗнО, вафля окиси цинка 10С10мм небольшая квадратная, субстраты в различных ориентациях, кристалл 5кс5мм ЗнО ЗнО одиночный
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Окись цинка (ЗнО) можно вырасти как полупроводник оди... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт

Субстрат ГГГ, субстрат венисы ГГГ Гд3Га5012 Кристл галлия гадолиния
Цена: by case
MOQ: 10pcs
Срок поставки: 1-4weeks
Бренд: zmsh
Выделять:вафля гаас, субстрат лаало3
Субстраты ГГГ, вафля окиси цинка 10С10мм небольшая квадратная, субстраты в различных ориентациях, субстрат 5кс5мм ГГГ кристалла венисы ГГГ Гд3Га5012 галлия гадолиния
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Вениса галлия гадол... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт

Лаало3 субстрат, субстрат Кристл алюмината лантана вафли арсенида галлия
Цена: by case
MOQ: 10pcs
Срок поставки: 1-4weeks
Бренд: zmsh
Выделять:вафля гаас, вафля арсенида индия
ЛаАлО3 субстраты, субстрата алюмината ЛаАлО3крыстал лантана 10С10мм кристаллы небольшого квадратного одиночные
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Применение:
Одиночный кристалл ЛаАлО3 самый важный материал одиночно... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт

вафля ИнАс вафли арсенида индия толщины 500ум кристаллическая диаметр 2 дюймов 50.8мм
Цена: by case
MOQ: 10pcs
Срок поставки: 1-4weeks
Бренд: zmsh
Выделять:вафля гаас, вафля арсенида индия
2инч субстраты ИнАс толщины 500ум диаметра 50.8мм, вафля ИнАс арсенида индия кристаллическая, Н типа вафля 3инч 0.6мм ИнАс, вафли 10кс10мм квадратные ИнАс ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Субстрат оди... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт

Дя 50.8мм вафля арсенида галлия 2 дюймов для субстрата полупроводника
Цена: by case
MOQ: 5pcs
Срок поставки: 1-4weeks
Бренд: zmsh
Выделять:вафля гаас, вафля арсенида индия
субстраты 2инч ГаАс, вафля ГаАс для приведенный, вафли арсенида галлия кристаллические, вафля ГаАс Допант Си/Зн (смесь а элементов галлия и мышьяка. Это полупроводник бандгап ИИИ-В сразу с кристаллической структурой сфалерита цинка)
-----------------------------------------------------------------... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт

GaAs лазерная эпитаксиальная пластина галлиевой арсенидной пластинки VCSEL/PD экспитаксиальная пластина для интеллектуального обнаружения
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
Бренд: ZMSH
Выделять:ГаА лазерная эпитаксиальная пластина, Интеллектуальная эпитаксиальная пластина, VCSEL/PD Expitaxial Wafer (ВКСЭЛ/ПД) - экпитаксиальная пластина
2-дюймовая галлиевая арсенидная пластина ГаА эпитаксиальная пластина для LD лазерного диода, полупроводниковая эпитаксиальная пластина, 3-дюймовая пластина ГаА, однокристаллическая пластина ГаА 2-дюймовые 3-дюймовые 4-дюймовые субстраты ГаА для LD применения,полупроводниковые пластинки, Галлиевой ар... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт

2" S Допированный полупроводниковый GaP EPI Wafer N Type P Type 250um 300um светоизлучающие диоды
Цена: Negotiation
MOQ: 25pcs
Срок поставки: In 30 days
Бренд: ZMSH
Выделять:S Допированная EPI-вафла, Полупроводниковые пластинки 300um, GaP полупроводниковый EPI вафля
2 S Допированный полупроводниковый GaP EPI-вольфер N типа P типа 250um 300um светоизлучающие диоды
Описание:
Фосфид галлия (GaP) - соединение группы III-V. По внешнему виду он оранжево-красный прозрачный кристалл. Фосфид галлия используется для получения недорогого красного,зеленые и оранжевые... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт

Прозрачные оранжевые бездопинговые вафли с ГаП P тип N тип 200um 350um 5G светоизлучающие
Цена: Negotiation
MOQ: 25pcs
Срок поставки: In 30 days
Бренд: ZMSH
Выделять:Н-типовые вафли GaP, Недопированные вафли GaP, Прозрачные вафли из фосфида галлия
Прозрачные оранжевые бездопинговые вафли с ГаП P тип N тип 200um 350um 5G светоизлучающие
Описание:
Галлиевый фосфид GaP, важный полупроводник с уникальными электрическими свойствами, как и другие III-V соединенные материалы, кристаллизуется в термодинамически стабильной кубической структуре ZB,пр... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт

GaP полуизолированные пластинки P тип N тип 400um 500um Зеленый светодиод Красный Зеленый свет
Цена: Negotiation
MOQ: 25pcs
Срок поставки: In 30 days
Бренд: ZMSH
Выделять:ГаП-вофли 2", Полуизолированные вафли GaP, П-тип вафли с фосфидом галлия
GaP полуизолированные пластинки P тип N тип 400um 500um Зеленый светодиод Красный Зеленый свет
Описание:
Фосфид галлия - широко используемый полупроводниковый материал, обладающий характеристиками высокой проводимости и высокой эффективности фотоэлектрического преобразования.Фосфид галлия можно ис... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт

тип n полупроводника субстратов арсенида галлия 2inch одиночного Кристл
Цена: by case
MOQ: 10pcs
Срок поставки: 1-4weeks
Бренд: zmsh
Выделять:субстраты 2inch GaAs, Субстраты арсенида галлия одиночного Кристл, Тип вафля n полупроводника GaAs
субстраты арсенида галлия одиночного Кристл субстратов 2inch GaAs Полу-проводя тип n
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Вафля GaAs
Арсенид галлия (GaAs) превосходный semiconducting материал. Он имеет боль... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт

тип субстраты p метода роста 6Inch VGF GaAs вафель GaAs
Цена: by case
MOQ: 10pcs
Срок поставки: 1-4weeks
Бренд: zmsh
Выделять:Тип вафля p арсенида галлия, вафли 6inch GaAs, Вафли GaAs полупроводника
тип субстраты p метода роста 6inch VGF GaAs вафель GaAs
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Вафля GaAs
Вафли GaAS субстрата GaAS вафель субстрата GaAs вафель GaAs материал полупроводника с главными свойст... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт

структура моноклиналя субстрата окиси галлия 10x10mm
Цена: by case
MOQ: 10pcs
Срок поставки: 1-4weeks
Бренд: zmsh
Выделять:Тип вафли p GaAs, Тип вафли n GaAs, Вафля 2inch арсенида галлия
структура моноклиналя субстрата окиси галлия 10x10mm
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Номинальный кристалл окиси галлия имеет структуру monoclinal с 2 плоскостями излома (100) и (001). Насколько процесс ... Посмотреть больше
➤ Посещать Интернет сайт